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三星研发30纳米级别8GB高密度快闪记忆体
发布时间：2007-11-17 11:28:20 点击： 网友评论
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三星近日透露了其研制出的第一个64 Gigabit（Gb，千兆位，合8GB）的多级单元（ MLC ）NAND闪存芯片——其采用目前世界领先的30纳米（nm）级的工艺技术。该闪存芯片可以多个组合并成为一个最大128 Gigabyte（GB，千兆字节）的记忆卡。其空间足以存储80部DVD影片或者32,000首mp3歌曲。
该30纳米级64 Gb NAND快闪芯片的问世标志着记忆体芯片密度较8年前增加了一倍，并打破了2001年100纳米级1 Gb NAND快闪芯片的记录。新的快闪记忆体基于一种名为自对准双图形的技术（SaDPT）研制。三星公司预计在2009年开始生产这种30纳米级别的64 Gb闪存芯片。
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